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首頁(yè)>NESG7030M04-A>芯片詳情
NESG7030M04-A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 CEL
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NESG7030M04-A品牌:CEL
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
NESG7030M04-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝SOT-343F的NESG7030M04-A晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NESG7030M04-A
- 制造商:
CEL
- 類(lèi)別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
4.3V
- 頻率 - 躍遷:
5.8GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
- 增益:
14dB ~ 21dB
- 功率 - 最大值:
125mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 5mA,2V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝:
M04
- 描述:
RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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