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NFAM3065L4BT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NFAM3065L4BT |
| 參數(shù)屬性 | NFAM3065L4BT 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊；產(chǎn)品描述：IPM 650V 30A |
| 功能描述 | Intelligent Power Module (IPM), 650 V, 30 A |
| 封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線 |
| 文件大小 |
286.78 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-13 18:36:00 |
NFAM3065L4BT規(guī)格書(shū)詳情
NFAM3065L4BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAM3065L4BT功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NFAM3065L4BT
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
- 包裝：
托盤(pán)
- 類型：
IGBT
- 配置：
三相反相器
- 電壓 - 隔離：
2500Vrms
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線
- 描述：
IPM 650V 30A
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
DIP39, 54.50x31.00x5.60, 1.78P |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DIP39(31.0x54.5) |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢價(jià) | ||
onsemi |
兩年內(nèi) |
NA |
206 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
ON |
20+ |
IPM |
5 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
NA |
728 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
2021+ |
DIP-39 |
509 |
詢價(jià) | |||
ON(安森美) |
2112+ |
39-PowerDIP |
115000 |
90個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
22+ |
39-PowerDIP |
12000 |
只做原裝,全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
安森美 |
22+ |
NA |
500000 |
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂 |
詢價(jià) |
