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NGB8204NT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGB8204NT4 |
| 參數(shù)屬性 | NGB8204NT4 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts |
| 文件大小 |
150.26 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-27 22:58:00 |
NGB8204NT4規(guī)格書(shū)詳情
NGB8204NT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB8204NT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGB8204NT4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 4V，15A
- 輸入類型：
邏輯
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
16532 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
66 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO263 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
TO263 |
16532 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
TO263 |
72707 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2024 |
TO-263 |
505348 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
D2PAK3LEAD |
8138 |
全新原裝 |
詢價(jià) |
