首頁(yè)>NGB8207NT4G>芯片詳情

NGB8207NT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 PULSECORE/安森美

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NGB8207NT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 11:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NGB8207NT4G品牌：ON/LITTELFUSE

原裝正品支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào)：

    NGB8207NT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    132.09 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB8207NT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 4V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 365V 20A 165W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    姚先生

  • 手機(jī)：

    13410022949

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88356848

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)B座25樓

相近型號(hào)