首頁(yè)>NGB8207NT4G>規(guī)格書(shū)詳情
NGB8207NT4G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGB8207NT4G |
| 參數(shù)屬性 | NGB8207NT4G 封裝/外殼為T(mén)O-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK |
| 文件大小 |
132.09 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-16 10:20:00 |
NGB8207NT4G規(guī)格書(shū)詳情
NGB8207NT4G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB8207NT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGB8207NT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 4V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO263 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
17+ |
D2PAK3LEAD |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
詢價(jià) | |||
ON |
23+ |
TO263 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ON/LITTELFUSE |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON |
TO263 |
14822 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
ON |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
詢價(jià) |
