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NGD15N41CLT4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGD15N41CLT4 |
| 參數(shù)屬性 | NGD15N41CLT4 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 15A 107W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
94.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-28 9:52:00 |
| 人工找貨 | NGD15N41CLT4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NGD15N41CLT4規(guī)格書詳情
NGD15N41CLT4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGD15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGD15N41CLT4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 4V，10A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時 Td（開/關）值：
-/4μs
- 測試條件：
300V，6.5A，1 千歐
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 15A 107W DPAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO252 |
18739 |
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ON |
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ON Semiconductor |
22+ |
DPAK3 |
9000 |
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詢價 |
