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NGD8201BNT4G_分立半導體產品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Littelfuse Inc.

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  • 廠家型號：

    NGD8201BNT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    分立半導體產品 晶體管-UGBT、MOSFET-單

  • 封裝外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-14 15:08:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGD8201BNT4G品牌：Littelfuse Inc.

資料說明：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

NGD8201BNT4G是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Littelfuse Inc.生產封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGD8201BNT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    ngd8201bnt4g

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NGD8201BNT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 4.5V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    -/4μs

  • 測試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    TO-252，（D-Pak）

  • 描述：

    IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內
1983
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