首頁(yè)>NGD8201BNT4G>詳情

NGD8201BNT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 Littelfuse Inc.

NGD8201BNT4G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NGD8201BNT4G品牌：Littelfuse Inc.

全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)

NGD8201BNT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝DPAK/TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63的NGD8201BNT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGD8201BNT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD8201BNT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 4.5V，10A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252，（D-Pak）

  • 描述：

    IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13682380609

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場(chǎng)69樓6904B-6905A室

相近型號(hào)