NGD8201N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGD8201N |
| 參數(shù)屬性 | NGD8201N 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT |
| 文件大小 |
110.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-15 23:03:00 |
NGD8201N規(guī)格書詳情
NGD8201N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD8201N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGD8201NT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
-/5μs
- 測(cè)試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2018+ |
TO-252 |
11256 |
只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON |
2016+ |
TO252 |
19776 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
SOT-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO252 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
17321 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ON |
2339+ |
NA |
5825 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存! |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
SOT252 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ST |
20+ |
TO252 |
20500 |
汽車電子原裝主營-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) |
