首頁(yè)>NGD8205N>規(guī)格書詳情

NGD8205N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGD8205N
廠商型號(hào)

NGD8205N
參數(shù)屬性

NGD8205N 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 390V 20A 125W DPAK
功能描述

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N??hannel DPAK
IGBT 390V 20A 125W DPAK
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

142.88 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-5-1 20:00:00
人工找貨

NGD8205N價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

NGD8205N規(guī)格書詳情

NGD8205N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGD8205N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD8205NT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 390V 20A 125W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
NA/
100
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
ON
24+
TO252
20000
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
ON/安森美
21+
SOT-252
30000
優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
SOT-252
24190
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
詢價(jià)
ON
24+
SOT-252
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
SOT-252
18000
原裝正品
 詢價(jià)
ON Semiconductor
23+
DPAK3
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)

相關(guān)庫(kù)存

更多