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NGTB25N120FL2WG_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NGTB25N120FL2WG_V01
廠商型號(hào)

NGTB25N120FL2WG_V01

功能描述

IGBT - Field Stop II

文件大小

289.93 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 22:28:00

NGTB25N120FL2WG_V01規(guī)格書詳情

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and

cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior

performance in demanding switching applications, offering both low

on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited

for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft

and fast co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? TJmax = 175°C

? Soft Fast Reverse Recovery Diode

? Optimized for High Speed Switching

? 10 s Short Circuit Capability

? These are Pb?Free Devices

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)

? Welding

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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