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首頁(yè)>NGTB25N120FL3WG>芯片詳情
NGTB25N120FL3WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):NGTB25N120FL3WG品牌:ON-SEMI
原裝正品 香港現(xiàn)貨
NGTB25N120FL3WG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N-SEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的NGTB25N120FL3WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NGTB25N120FL3WG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,25A
- 開(kāi)關(guān)能量:
1mJ(開(kāi)),700μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
15ns/109ns
- 測(cè)試條件:
600V,25A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 1200V 100A TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市納立科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
13590203865
- 詢價(jià):
- 電話:
13590203865/0755-88606580
- 傳真:
0755-88606580
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室
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