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NGTB30N135IHR1WG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB30N135IHR1WG
廠商型號

NGTB30N135IHR1WG

參數屬性

NGTB30N135IHR1WG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1350V 30A TO247

功能描述

Monolithic Free Wheeling Diode
IGBT 1350V 30A TO247

文件大小

137.29 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:15:00

NGTB30N135IHR1WG規(guī)格書詳情

NGTB30N135IHR1WG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGTB30N135IHR1WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NGTB30N135IHR1WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    630μA(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/200ns

  • 測試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1350V 30A TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON原廠
2015
TO247
38
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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