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NGTB35N65FL2WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB35N65FL2WG
廠商型號(hào)

NGTB35N65FL2WG
參數(shù)屬性

NGTB35N65FL2WG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
功能描述

IGBT - Field Stop II
IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

99.28 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-21 17:29:00

NGTB35N65FL2WG規(guī)格書詳情

NGTB35N65FL2WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB35N65FL2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB35N65FL2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    840μJ（開），280μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    72ns/132ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
TO-247
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
ON
TO-247
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA
25630
原裝正品
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA/
1200
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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ON
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
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ON/安森美
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TO-247
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ON/安森美
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TO247
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只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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