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NGTB50N65FL2WG

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

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IGBT - Field Stop II

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IGBT - Field Stop II

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NGTB50N65FL2WG

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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NGTB50N65FL2WG_V01

IGBT - Field Stop II

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStopIITrenchconstruction,andprovidessuperior performanceindemandingswitchingapplications,offeringbothlow onstatevoltageandminimalswitchingloss.TheIGBTiswellsuited forUPSandsolar

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NGTB50N65FL2WG_16

IGBT - Field Stop II

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NGTB50N65FL2WAG

IGBT-FieldStopII/4Lead

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB50N65FL2WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1.5mJ（開），460μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    100ns/237ns

  • 測試條件：

    400V，50A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢價
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8648
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
ON
21+
TO-247
50000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
 詢價
ON/安森美
18+
NA
1320
詢價
ON(安森美)
23+
TO-247
12154
公司只做原裝正品,假一賠十
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ON
2024+
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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只做原裝正品!假一賠十!
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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更多NGTB50N65FL2WG供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 16:18:00

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