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NGTD21T65F2WP

IGBT Die

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD21T65F2WP

包裝：管件 封裝/外殼：模具 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD21T65F2

IGBTDie

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTD21T65F2SWK

IGBTDie

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTD21T65F2WP

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，45A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi/安森美
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更多NGTD21T65F2WP供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 16:18:00

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