首頁>NGTD21T65F2WP>詳情

NGTD21T65F2WP 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGTD21T65F2WP品牌：ON Semiconductor

原裝正品，支持實單

NGTD21T65F2WP是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON Semiconductor/onsemi生產封裝Die/模具的NGTD21T65F2WP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGTD21T65F2WP

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數：

    3 頁

  • 文件大小：

    90.6 kb

  • 資料說明：

    IGBT Die

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NGTD21T65F2WP

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，45A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

供應商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機：

    13570897296

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

相近型號