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NGTD14T65F2WP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGTD14T65F2WP |
| 參數(shù)屬性 | NGTD14T65F2WP 封裝/外殼為模具；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| 功能描述 | IGBT Die |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
93.87 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-19 10:30:00 |
NGTD14T65F2WP規(guī)格書(shū)詳情
NGTD14T65F2WP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTD14T65F2WP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGTD14T65F2WP
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，35A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
22+ |
Die |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SMD |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
SMD |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
模具 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
9000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON |
1809+ |
模具 |
1675 |
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詢價(jià) |
