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PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZT

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NMR113C

  • 功能描述：

    DC/DC轉(zhuǎn)換器 DC/DC TH 1W 15-12V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Murata

  • 輸入電壓范圍：

    3.6 V to 5.5 V

  • 輸出端數(shù)量：

    1 輸出電壓（通道

  • 1）：

    3.3 V 輸出電流（通道

  • 1）：

    600 mA 輸出電壓（通道

  • 2）：

    輸出電流（通道

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
MURATA
12+
DIP
680
代理穩(wěn)壓模塊/一定是全新原廠原裝產(chǎn)品
 詢價(jià)
MURATA/村田
2021+
SIP
11000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
C&D
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價(jià)
MURATA
24+
DIP4
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
MPS
23+
NA
111
專做原裝正品,假一罰百!
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MURATA/村田
18+
SMD
288000
原裝正品價(jià)格優(yōu)勢
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MURATA/村田
2447
DIP
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一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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電源模塊
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Murata Power Solutions
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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MURATA/村田
21+
DIP
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
更多NMR113C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:32:00

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