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PBRN113ZS

Marking：N113ZS；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZS

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 10 k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZS,126

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRN113ZT

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRN113ZT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRP113ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBRP113ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBRP113ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBRN113ZS

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?, R2 = 10 k?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價
NXP USA Inc.
2022+
TO-92-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP USA Inc.
24+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
NXP
2016+
SOT-23
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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NXPSEMICONDUCTORS
23+
NA
3486
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
LINEAR/凌特
23+
MSOP8
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
NEXPERIA/安世
2021+
SOT23
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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PHI
23+
ST23-3
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售!
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NXP/恩智浦
23+
3000
全新原裝，歡迎來電咨詢
 詢價
NXP
2024+
SOT23
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價
更多PBRN113ZS供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:08:00

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