首頁>NP100P06PLG-E1-AY>芯片詳情

NP100P06PLG-E1-AY_RENESAS/瑞薩_MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263高捷芯城電子

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NP100P06PLG-E1-AY

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    9633

  • 產品封裝：

    標準封裝

  • 生產批號：

    23+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2024-11-19 14:43:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NP100P06PLG-E1-AY品牌：Renesas(瑞薩)

支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。

  • 芯片型號：

    NP100P06PLG-E1-AY

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    1360.64 kb

  • 資料說明：

    -60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NP100P06PLG-E1-AY

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    傅小姐

  • 手機：

    13378407305

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華富路1006號航都大廈10層

相近型號