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NP100P06PLG-E1-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP100P06PLG-E1-AY
廠商型號

NP100P06PLG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

189.76 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 20:00:00

NP100P06PLG-E1-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP100P06PLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?50 A)

RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?50 A)

? High current rating: ID(DC) = m100 A

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP100P06PLG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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