首頁>NP109N04PUJ-E1B-AY>詳情

NP109N04PUJ-E1B-AY_ROUTER-SWITCH_MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263國宇三部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    R

  • 庫存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-14 14:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NP109N04PUJ-E1B-AY品牌：R

公司只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    318.16 kb

  • 資料說明：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    17704083728

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場5107

相近型號(hào)