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NP109N04PUJ-E1B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ?Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. ?Designedforautomotiveapplicati

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP109N04PUJ-E1B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
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更多NP109N04PUJ-E1B-AY供應商 更新時間2025-5-21 14:02:00