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NP109N04PUJ-E1B-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP109N04PUJ-E1B-AY
廠商型號

NP109N04PUJ-E1B-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

318.16 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-14 19:01:00

NP109N04PUJ-E1B-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)

? Low input capacitance

Ciss = 6900 pF TYP.

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
詢價
RENESA
15+
TO263
371
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Renesas
21+
TO-263
800
全新原裝鄙視假貨15118075546
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Renesas(瑞薩)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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RENESA
23+
TO263
25000
代理原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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RENESAS/瑞薩
23+
MP-25ZPTO-263
32687
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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RENESA
23+
NA/
3621
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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RENESA
TO263
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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RENESAS/瑞薩
22+
MP-25ZPTO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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