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NP109N04PUJ-E1B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP109N04PUJ-E1B-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP109N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ?Lowinputcapacitance Ciss=6900pFTYP. ?Designedforautomotiveapplicati

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