在线免费观看一级片,91香蕉视频污在线观看

首頁 >NP110N04PDG>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
NP110N04PDG	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP110N04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PDG_15	文件：251.33 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PDG-E1-AY	文件：251.33 Kbytes Page：10 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PDG-E1-AZNote	文件：251.33 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PDG-E2-AZNote	文件：251.33 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUG	文件：344.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP110N04PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUJ	文件：318.28 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP110N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ?Lowinputcapacitance Ciss=9500pFTYP. ?Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUJ	文件：344.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP110N04PUK	文件：345.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP110N04PUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUK	文件：113.76 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP110N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) ●LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUK	文件：271.53 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP110N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.4m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
SUM110N04	文件：146.37 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
YFW110N04AD	文件：1.9021 Mbytes Page：5 Pages	40VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

詳細(xì)參數(shù)

型號：
NP110N04PDG
功能描述：
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市匯萊威科技有限公司	NP110N04PDG	NEC	2024	TO-263	503163	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	NP110N04PDG	NEC	23+	TO-263	11844	全新原裝	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NP110N04PDG	NEC	24+	TO-263	8866		詢價
深圳市近平電子有限公司	NP110N04PDG	NEC	6000	面議	19	TO-263	詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	NP110N04PDG	NEC	23+	TO-263	9800	全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	NP110N04PDG	R	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NP110N04PDG	NEC	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NP110N04PDG	NEC	21+	TO-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	NP110N04PDG	NEC	2022	TO-263	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NP110N04PDG	RENESAS/瑞薩	2022+	TO-263	50000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價

更多NP110N04PDG供應(yīng)商更新時間2024-12-27 16:18:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號粵公網(wǎng)安備 44030402000933號