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NP109N04PUK_V01

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description NP109N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.75m?MAX.(VGS=10V,ID=55A) ?LowCissCiss=7200pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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