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NP20P06YLG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP20P06YLG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 14:50:00