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NP32N055SDE

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=24mΩMAX.(VGS=10V,ID=16A) RDS(on)2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP32N055SDE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP32N055SDE

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP32N055SDE-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

NP32N055SHE

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP32N055SHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffect Transistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=16A) ?LowCis

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP32N055SHE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP32N055SLE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP32N055SLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerating ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=24mΩMAX.(VGS=10V,ID=16A) RDS(on)2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP32N055SLE

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP32N055SDE

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
24+
TO-252
8866
詢價
rene
19+
TO-252
87427
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
NEC
6000
面議
19
TO-252
 詢價
RENE
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VB
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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2022
TO-252
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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RENE
2022+
TO-252
12375
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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VB
TO-252
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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R
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO-252
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多NP32N055SDE供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 15:30:00

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