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NP35N04YUG

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP35N04YUG

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP35N04YUG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP35N04YUG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ?LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP35N04YUG_15

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

EMB35N04A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB35N04CS

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB35N04J

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)35mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB35N04V

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

HRP35N04K

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP35N04YUG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS/瑞薩
22+
HSON-8
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
DFN56
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
DFN56
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
HSON-8
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
HSON-8
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
2022+
DFN56
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
HSON-8
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
HSON-8
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
SON-85x6
30000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
 詢價(jià)
RENESAS
20+
DFN56
32550
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
更多NP35N04YUG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 14:50:00

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