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NP36N10SDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) ?LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP36N10SDE-E1-AY供應商 更新時間2024-11-19 10:59:00

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