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NP36N10SDE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP36N10SDE
廠商型號(hào)

NP36N10SDE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

257.61 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 23:00:00

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NP36N10SDE規(guī)格書詳情

Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

? Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENE
24+
NA/
13470
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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原裝現(xiàn)貨 價(jià)格 數(shù)量 來電確認(rèn)
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