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NP55N055SDG-E1-AY

VBsemi
TO252

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

相關(guān)企業(yè):深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

NP55N055SDG-E1-AY

NEC
SOT-252

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

相關(guān)企業(yè):深圳市仟禧電子有限公司

NP55N055SDG-E1-AY/JM

NEC
TO-252

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

相關(guān)企業(yè):深圳深宇韜電子科技有限公司

NP55N055SDG-E1-AY

Renesas Electronics America
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

相關(guān)企業(yè):深圳市鵬順微電子科技有限公司

NP55N055SDG-E1-AY

VB
TO252

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

相關(guān)企業(yè):京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NP55N055SDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
N
24+
TO252
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
22+
SOT-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
VB
21+
TO252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
N
22+
TO252
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
N
23+
TO252
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
VBsemi
21+
TO252
10065
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
24+23+
TO252
12580
16年現(xiàn)貨庫(kù)存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
更多NP55N055SDG-E1-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-9 10:20:00