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NP80N055NHE中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP80N055NHE
廠商型號(hào)

NP80N055NHE

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

299.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 23:00:00

NP80N055NHE規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2400 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP80N055NHE

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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