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NP80N06MLG中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP80N06MLG
廠商型號(hào)

NP80N06MLG

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件大小

994.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 10:36:00

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NP80N06MLG規(guī)格書詳情

FEATURES

? 175 °C Junction Temperature

? TrenchFET? Power MOSFET

? Material categorization:

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP80N06MLG

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VBsemi/臺(tái)灣微碧
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