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NSBC113EDXV6T1_PULSECORE/安森美_TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563歐立現(xiàn)代

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  • 廠家型號：

    NSBC113EDXV6T1

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    7512

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-563

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2024-11-15 16:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NSBC113EDXV6T1品牌：ON

絕對原裝現(xiàn)貨,價格低,歡迎詢購!

  • 芯片型號：

    NSBC113EDXV6T1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    130.18 kb

  • 資料說明：

    Dual Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NSBC113EDXV6T1

  • 功能描述：

    TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    3,000

  • 晶體管類型：

    1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    70mA，100mA 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    50V 電阻器 -

  • 基極(R1)（歐）：

    47k，2.2k 電阻器 -

  • 發(fā)射極(R2)（歐）：

    47k 在某 Ic、Vce

  • 時的最小直流電流增益(hFE)：

    70 @ 5mA，5V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    300mV @ 500µA，10mA 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    - 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz，200MHz 功率 -

  • 最大：

    250mW

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商設備封裝：

    PG-SOT363-6

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    SP000784046

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    胡先生/朱先生/林小姐

  • 手機：

    18033057686

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83222787/0755-23999932

  • 傳真：

    0755-83238256

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北賽格科技園三棟東座10樓A2室

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