首頁(yè)>NSBC123JPDP6T5G>芯片詳情

NSBC123JPDP6T5G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BRT COMPLEMENTARY深圳良洲科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    3049

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    兩年內(nèi)

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-15 17:19:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NSBC123JPDP6T5G品牌：onsemi/安森美

實(shí)單價(jià)格可談

  • 芯片型號(hào)：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    172.91 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Complementary Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NSBC123JPDP6T5G

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 BRT COMPLEMENTARY

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊夢(mèng)琪

  • 手機(jī)：

    19128244554

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-21010605

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號(hào)華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓2層22C081

相近型號(hào)