訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>NSS20201MR6T1G>芯片詳情
NSS20201MR6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號(hào):NSS20201MR6T1G品牌:onsemi
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
NSS20201MR6T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6/SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6的NSS20201MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NSS20201MR6T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
150mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,5V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
- 供應(yīng)商器件封裝:
6-TSOP
- 描述:
TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13128990370
- 詢價(jià):
- 電話:
13128990370/微信同號(hào)
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B
相近型號(hào)
- NSS20101JT1G
- NSS20601CF8T1G
- NSS1C301ET4G
- NSS30070MR6T1G
- NSS1C300ET4G
- NSS30071MR6T1G
- NSS1C201MZ4T3G
- NSS30100LT1G
- NSS1C201MZ4T1G
- NSS30101LT1G
- NSS1C201LT1G
- NSS30201MR6T1G
- NSS1C200MZ4T3G
- NSS35200CF8T1G
- NSS1C200MZ4T1G
- NSS35200MR6T1G
- NSS1C200LT1G
- NSS40200LT1G
- NSS12601CF8T1G
- NSS40200UW6T1G
- NSS12501UW3T2G
- NSS40201LT1G
- NSS12500UW3T2G
- NSS40300DDR2G
- NSS12201LT1G
- NSS40300MDR2G
- NSS12200WT1G
- NSS40300MZ4T1G
- NSS12200LT1G
- NSS40300MZ4T3G
- NSS12100XV6T1G
- NSS40301MDR2G
- NSS12100UW3TCG
- NSS40301MZ4T1G
- NSS12100M3T5G
- NSS40301MZ4T3G
- NSRLV20MW2T1G
- NSS40302PDR2G
- NSRLL30XV2T1G
- NSS40500UW3T2G
- NSR30CM3T5G
- NSS40501UW3T2G
- NSR20F40NXT5G
- NSS40600CF8T1G
- NSR20F30NXT5G
- NSS40601CF8T1G
- NSR20F20NXT5G
- NSS60100DMTTBG
- NSR2030QMUTAG
- NSS60101DMR6T1G