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NST847BDP6T5G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT DUAL NPN GP TRANS宏捷佳二部

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  • 廠家型號(hào)：

    NST847BDP6T5G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-963

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-5 10:53:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NST847BDP6T5G品牌：onsemi

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

  • 芯片型號(hào)：

    NST847BDP6T5G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    99.33 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual General Purpose Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NST847BDP6T5G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DUAL NPN GP TRANS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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