首頁(yè)>NSVBC858CLT1G>芯片詳情

NSVBC858CLT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NSVBC858CLT1G參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    NSVBC858CLT1G

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    360000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT-23-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-26 10:34:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):NSVBC858CLT1G品牌:ONSEMI/安森美

專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低

NSVBC858CLT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商O(píng)NSEMI/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23-3/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的NSVBC858CLT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào):

    NSVBC858CLT1G

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NSVBC858CLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張先生

  • 手機(jī):

    13266709901

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話:

    0755-82571134

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F