NSVBCP56-10T3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

廠家型號(hào)：
NSVBCP56-10T3G
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
庫(kù)存數(shù)量：
8000
產(chǎn)品封裝：
標(biāo)準(zhǔn)封裝
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2024-12-26 15:08:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

詳細(xì)信息
規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NSVBCP56-10T3G品牌：ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品

NSVBCP56-10T3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-261-4，TO-261AA的NSVBCP56-10T3G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號(hào)：
NSVBCP56-10T3G
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
5 頁(yè)
文件大?。?/span>
74.89 kb
資料說(shuō)明：
NPN Silicon Epitaxial Transistor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NSVBCP56-10T3G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
頻率 - 躍遷：
130MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市智連鑫科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
張小姐
手機(jī)：
13357276588
詢價(jià)：
電話：
13357276588
地址：
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號(hào)一樓

NSVBCP56-10T3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NSVBCP56-10T3G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)