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NSVF6001SB6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NSVF6001SB6 |
參數(shù)屬性 | NSVF6001SB6 封裝/外殼為SOT-23-6 細型,TSOT-23-6;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6 |
功能描述 | RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single |
文件大小 |
873.32 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-5 11:08:00 |
NSVF6001SB6規(guī)格書詳情
NSVF6001SB6屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NSVF6001SB6晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NSVF6001SB6T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
6.7GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.1dB @ 1GHz
- 增益:
11dB
- 功率 - 最大值:
800mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商器件封裝:
6-CPH
- 描述:
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
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