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NSVMMUN2113LT3G分立半導體產品晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

NSVMMUN2113LT3G
廠商型號

NSVMMUN2113LT3G
參數屬性

NSVMMUN2113LT3G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置；產品描述：TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
功能描述

Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 kA
TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
文件大小

113.75 Kbytes
頁面數量

12 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-8 17:23:00

NSVMMUN2113LT3G規(guī)格書詳情

NSVMMUN2113LT3G屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。安森美半導體公司制造生產的NSVMMUN2113LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量，從而可降低項目成本。

產品屬性

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  • 產品編號：

    NSVMMUN2113LT3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP SOT23-3

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