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NSVMMUN2131LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):NSVMMUN2131LT1G品牌:ON(安森美)
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
NSVMMUN2131LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的NSVMMUN2131LT1G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無(wú)失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項(xiàng)目成本。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NSVMMUN2131LT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 5mA,10V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 5mA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市智連鑫科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張小姐
- 手機(jī):
13357276588
- 詢價(jià):
- 電話:
13357276588
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號(hào)一樓
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