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NSVMMUN2230LT1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導體

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原廠料號：NSVMMUN2230LT1G品牌：ON/安森美

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NSVMMUN2230LT1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSVMMUN2230LT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    NSVMMUN2230LT1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    105.42 kb

  • 資料說明：

    Digital Transistors (BRT) R1 = 1 k, R2 = 1 k

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NSVMMUN2230LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    3 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 5mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機：

    18923718265

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

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