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NTBG020N090SC1中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTBG020N090SC1
廠商型號

NTBG020N090SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

文件大小

325.98 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-7 8:30:00

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NTBG020N090SC1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

? Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 295 pF)

? 100 Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC-DC Converter

? Boost Inverter

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Onsemi
23+
NA
60
公司原裝
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ON(安森美)
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