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NTD20N06L	文件：259.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD20N06L	文件：377.04 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features VDS60V ID(atVGS=10V)20A RDS(ON)(atVGS=4.5V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
NTD20N06L	文件：462.09 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET TypicalApplications ?PowerSupplies ?Converters ?PowerMotorControls ?BridgeCircuits VDS ID(atVGS=10V) RDS(ON)(atVGS=4.5V) 60V 20A	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
NTD20N06L	文件：89.95 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：127.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK/IPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV20N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerSupplies ?Converters ?Po	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06LG	文件：128.039 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET20Amps,60VoltsLogicLevel,N??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06LG	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK/IPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV20N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerSupplies ?Converters ?Po	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06LG	文件：127.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD20N06LG	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD20N06V	文件：896.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTDV20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N??hannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?LowerRDS(on) ?LowerVDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTDV20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTDV20N06L	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK/IPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV20N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerSupplies ?Converters ?Po	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
PHB20N06T	文件：382.04 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
PHB20N06T	文件：334.21 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■Verylowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■Switchedmodepowersupplies ■DCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB20N06T	文件：862.31 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PHD20N06T	文件：860.13 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PHD20N06T	文件：896.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHD20N06T	文件：379.72 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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