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NTE2932	文件：24.12 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerRDS(on):0.071?Typ ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max)@VDS=200V	NTE NTE Electronics	NTE
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STAC2932BW	文件：406.43 Kbytes Page：14 Pages	HF/VHF/UHFRFpowerN-channelMOSFETs Description TheSTAC2932BisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. TheSTAC2932Bbenefitsfromthelatestgenerationofefficient,patent-pendingpackagetechnology,otherwiseknownasSTAC? Feature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STAC2932F	文件：333 Kbytes Page：14 Pages	Excellentthermalstability Description TheSTAC2932FisagoldmetallizedN-channelMOSfield-effectRFpowertransistor,intendedforusein50VDClargesignalapplicationsupto250MHz. TheSTAC2932Fbenefitsfromthelatestgenerationofefficient,patent-pendingpackagetechnology,otherwiseknownasSTAC?. Featur	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
TB2932HQ	文件：436.24 Kbytes Page：37 Pages	MaximumPower49WBTL?4-chAudioPowerIC TheTB2932HQis4chaudioamplifierforcaraudioapplication.ThisICcangeneratehighpower,highqualitysoundoutput,POUTMAX=49W,usingapurecomplementaryP-chandN-chDMOSoutputstage. Thebuilt-inselfdiagnosisfunctionwhichisincludedcanbecontrolledviaI2CBUS. Inadd	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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更多NTE2932供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:06:00

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