NTH4L032N065M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L032N065M3S
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L
文件大小	353.32 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-2-11 20:00:00

Features

? Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF)

? 100% Avalanche Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

? SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storage, EV Charging

Infrastructure

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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